型號(hào)：US6M11TR
類別：FET - 陣列
制造商：Rohm Semiconductor
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
系列：-
FET型：N 和 P 溝道
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V，12V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A，1.3A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222：1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V
功率_最大：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT6
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
描 述：RECTIFIERS ASSEMBLIES
大 小：157K
