型號(hào):VMO550-01F
類別:FET
制造商:IXYS
封裝:Y3-DCB
描述:MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
系列:HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:590A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 毫歐 @ 500mA,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:6V @ 110mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2000nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50000pF @ 25V
功率_最大:2200W
安裝類型:底座安裝
封裝__外殼:Y3-DCB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Y3-DCB
包裝:散裝
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:MegaMOSTMFET Module
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