型號:VT6X1T2R
類別:晶體管(BJT) - 陣列
制造商:Rohm Semiconductor
封裝:6-SMD
描述:TRANS NPN 20V 200MA VMT6
系列:-
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444111最大222:200mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿111最大222:20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度111最大222:300mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止111最大222:-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 1mA,2V
功率_最大:150mW
頻率_轉(zhuǎn)換:400MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:6-SMD
供應商設備封裝:VMT6
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
大 。128K