型號(hào):ZXMC6A09DN8TA
類別:FET - 陣列
制造商:Diodes Inc
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC
系列:-
FET型:N 和 P 溝道
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.9A,3.7A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 8.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1407pF @ 40V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 。297K