型號(hào):ZXMHC6A07N8TC
類別:FET - 陣列
制造商:Diodes Inc
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
系列:-
FET型:2 個(gè) N?通道和 2 個(gè) P 通道(H 橋)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.39A,1.28A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 1.8A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:166pF @ 40V
功率_最大:870mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:DIODES [ DIODES INCORPORATED ]
描 述:60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
大 。755K