型號:ZXMN10A08DN8TC
類別:FET - 陣列
制造商:Diodes Inc
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC
系列:-
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:1.6A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫歐 @ 3.2A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:405pF @ 50V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:BYCHIP [ BYCHIP ]
描 述:N+N溝道 SOP8 100V 200MR
大 小:749K