型號:ZXMN3A06DN8TA
類別:FET - 陣列
制造商:Diodes Inc
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.9A
開態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:796pF @ 25V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 。57K