型號(hào):ZXMN6A09DN8TA
類(lèi)別:FET - 陣列
制造商:Diodes Inc
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC
系列:-
FET型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.3A
開(kāi)態(tài)Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 8.2A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24.2nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1407pF @ 40V
功率_最大:1.25W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)
廠(chǎng) 商:ZETEX [ ZETEX SEMICONDUCTORS ]
描 述:DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
大 。711K