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2N29 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2N2905A詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-39
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:600mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐
供應商設備封裝:TO-39
包裝:管件

2N2907詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 40V 600MA TO-18
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:1.8W
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
供應商設備封裝:TO-18
包裝:管件

2N2907A詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS SS PNP 600MA 60V TO18-2
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-18-2 金屬罐
供應商設備封裝:TO-18
包裝:散裝

2N2907A詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP -60V -0.6A TO-18
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
供應商設備封裝:TO-18
包裝:散裝

2N2907AUA詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP GP HERMETIC SMD
系列:-
制造商:TT Electronics/Optek Technology
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):50nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,10V
功率_最大:400mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-CLCC
供應商設備封裝:陶瓷 SMD
包裝:散裝

2N2907AUB詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP GP HERMETIC SMD
系列:-
制造商:TT Electronics/Optek Technology
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):50nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1mA,10V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-LCC
供應商設備封裝:陶瓷 SMD
包裝:散裝

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