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<![CDATA[<nav id="fq90i"><fieldset id="fq90i"></fieldset></nav>]]>
2N7002E詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：240mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 250mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.6nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：21pF @ 5V
- 功率_最大：350mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
- 包裝：帶卷 (TR)
2N7002E,215詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：Digi-Reel®
2N7002E,215詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
2N7002E,215詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：帶卷 (TR)
2N7002E,215詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N CH TRENCH 60V SOT23
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：385mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.69nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V
- 功率_最大：830mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：TO-236AB
- 包裝：剪切帶 (CT)
2N7002E-7-F詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：240mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 250mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V
- 功率_最大：300mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23-3
- 包裝：帶卷 (TR)
- 矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M 軸向 CONN PLUG 2MM IDC 3POS 24-26AWG
- 同軸，RF TE Connectivity 軸向 CONN PLUG BNC 50 OHM CRIMP GOLD
- FET - 陣列 Micro Commercial Co 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
- 底座安裝電阻器 TE Connectivity 矩形外殼 RES 390 OHM 500W 5% WW WIRE
- 配件 TE Connectivity 矩形外殼 CONN FERRULE CRIMP ZINC VIOLET
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 矩形外殼 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .4375
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 442K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TERM BARRIER 1CIRC SGL ROW .325
- 矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M CONN PLUG 2MM IDC 3POS 24-26AWG
- 底座安裝電阻器 TE Connectivity 矩形外殼 RES 1.5K OHM 500W 5% WW WIRE
- 配件 TE Connectivity 矩形外殼 CONN FERRULE CRIMP ZINC VIOLET
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 矩形外殼 TERM BARRIER 10CIRC 1 ROW .4375
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 矩形外殼 TERM BARRIER 4CIRC SGL ROW .325
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 487K OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 矩形 - 自由懸掛，面板安裝 3M 軸向 CONN PLUG 2MM IDC 4POS 24-26AWG
0755-84502810 
0755-83226745 
