

2N7002LT1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
2N7002LT1G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
2N7002LT1G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
2N7002LT1G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
2N7002LT3詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
2N7002LT3G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:115mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 500mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:225mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 面板指示器,指示燈 Dialight 軸向 LED HOLDER
- 芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 1206(3216 公制) RES 36.0 OHM 1/2W 5% 1206
- FET - 單 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 40.0K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 軸向 TERM BARRIER 3CIRC SGL ROW .325
- 配件 TE Connectivity 軸向 LAMP T1 3/4 0.34MSCP FOR COMMAND
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 軸向 TERM BARRIER 17CIRC 1 ROW .4375
- 矩形 - 外殼 TE Connectivity 軸向 CONN HOUSING 20POS .050 RED
- 原型開發(fā)板 - 穿孔 Vector Electronics 軸向 PC BOARD PAD-PER-HOLE 4.5X6.5
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TERM BARRIER 14CIRC SGL ROW .325
- 通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 523 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 軸向 TERM BARRIER 23CIRC 1 ROW .4375
- 配件 TE Connectivity 軸向 LAMP T1 3/4 0.34MSCP FOR COMMAND
- 帶 3M 軸向 TAPE SEALING INDUST 72MMX100M
- D-Sub TE Connectivity 軸向 CONN PLUG 9POS R/A 30GOLD T/H