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2N7002LT1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：115mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

2N7002LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：115mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：115mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

2N7002LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：115mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

2N7002LT3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：115mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002LT3G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：115mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 25V; 功率_最大：225mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

371-8760-14-500
面板指示器，指示燈 Dialight 軸向 LED HOLDER
3-1879497-8
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 1206（3216 公制） RES 36.0 OHM 1/2W 5% 1206
2N7002LT1
FET - 單 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
2-1879642-6
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 40.0K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
325343-03-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 軸向 TERM BARRIER 3CIRC SGL ROW .325
327-AG
配件 TE Connectivity 軸向 LAMP T1 3/4 0.34MSCP FOR COMMAND
433303-17-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 軸向 TERM BARRIER 17CIRC 1 ROW .4375
2-338095-0
矩形 - 外殼 TE Connectivity 軸向 CONN HOUSING 20POS .050 RED
3719-6
原型開發(fā)板 - 穿孔 Vector Electronics 軸向 PC BOARD PAD-PER-HOLE 4.5X6.5
325343-14-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TERM BARRIER 14CIRC SGL ROW .325
2-1879643-0
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 523 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
433303-23-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 軸向 TERM BARRIER 23CIRC 1 ROW .4375
327-AG
配件 TE Connectivity 軸向 LAMP T1 3/4 0.34MSCP FOR COMMAND
371-CLEAR-72MMX100M
帶 3M 軸向 TAPE SEALING INDUST 72MMX100M
2-338168-2
D-Sub TE Connectivity 軸向 CONN PLUG 9POS R/A 30GOLD T/H

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