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2SC53 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SC5307(TE12L,F)詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 400V 0.05A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 500µA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 20mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉(zhuǎn)換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PW-Mini(4.6x4.2)
包裝:帶卷 (TR)

2SC5347AE-TD-E詳細規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:4.7GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):1.8dB @ 1GHz
增益:8dB
功率_最大:1.3W
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:90 @ 50mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC5347AF-TD-E詳細規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:4.7GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):1.8dB @ 1GHz
增益:8dB
功率_最大:1.3W
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:135 @ 50mA,5V
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SC5354詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):800V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 1mA,5V
功率_最大:100W
頻率_轉(zhuǎn)換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3P(N)
包裝:管件

2SC5354-1(F)詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 800V 5A TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):800V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 1mA,5V
功率_最大:100W
頻率_轉(zhuǎn)換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3P(N)
包裝:散裝

2SC5355(TE16L1,Q)詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 400V 5A TSM
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):400V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 250mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 500mA,5V
功率_最大:1.5W
頻率_轉(zhuǎn)換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:TSM(2.9x2.8)
包裝:帶卷 (TR)

2SC53供應商

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