2SK33 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

2SK3301(Q)詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：900V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 歐姆 @ 500mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 25V

功率_最大：20W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD

包裝：管件

2SK3301(TE16L1,NQ)詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 900V 1A PW-MOLD

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：900V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 歐姆 @ 500mA，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3.4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：165pF @ 25V

功率_最大：20W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PW-MOLD

包裝：帶卷 (TR)

2SK3309(Q)詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：450V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 10V

功率_最大：65W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3（SMT）標(biāo)片

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220FL

包裝：管件

2SK3309(TE24L,Q)詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：450V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 5A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 10V

功率_最大：65W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220SM

包裝：帶卷 (TR)

2SK3313(Q)詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：620 毫歐 @ 6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2040pF @ 10V

功率_最大：40W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220NIS

包裝：散裝

2SK3314詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 15A TO-3PN

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：490 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 10V

功率_最大：150W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P（N）

包裝：管件

• 37006300410

  保險(xiǎn)絲    Littelfuse Inc    徑向，罐狀，垂直    FUSE FAST 250VAC 630MA RADIAL

• 3429-600T02TC

  矩形- 接頭，公引腳    3M    徑向，罐狀，垂直    CONN HEADER 26POS STR NO LATCH

• 0757575401

  矩形- 接頭，公引腳    Molex Inc    徑向，罐狀，垂直    CONN HEADER 2X10 VERT BRKWAY TIN

• 1808AA102JATME

  陶瓷    AVX Corporation    1808（4520 公制）    CAP CER 1000PF 1KV 5% NP0 1808

• 2SK3313(Q)

  FET - 單    Toshiba    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

• 3700BL15B050E

  平衡-不平衡變壓器    Johanson Technology Inc    0805（2012 公制）    BALUN CERAMIC CHIP WIMAX 3.7GHZ

• 3429-6202

  矩形- 接頭，公引腳    3M    0805（2012 公制）    CONN HEADER 26PS STR SHORT LATCH

• 251R14S7R5BV4T

  陶瓷    Johanson Technology Inc    0603（1608 公制）    CAP CER 7.5PF 250V NP0 0603

• 1808AA122JAT1A

  陶瓷    AVX Corporation    1808（4520 公制）    CAP CER 1200PF 1KV 5% NP0 1808

• 3700BL15B200E

  平衡-不平衡變壓器    Johanson Technology Inc    0805（2012 公制）    BALUN CERAMIC CHIP WIMAX 3.7GHZ

• 251R14S7R5DV4T

  陶瓷    Johanson Technology Inc    0603（1608 公制）    CAP CER 7.5PF 250V NP0 0603

• 3429-6203

  矩形- 接頭，公引腳    3M    0603（1608 公制）    CONN HEADER 26PS STR SHORT LATCH

• 1808AA181KAT1A

  陶瓷    AVX Corporation    1808（4520 公制）    CAP CER 180PF 1KV 10% NP0 1808

• 0757830029

  可插式    Molex Inc    1808（4520 公制）    CONN RCPT IPASS R/A 26POS SMD

• 2SK3371(TE16L1,NQ)

  FET - 單    Toshiba    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 600V 1A PW-MOLD