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2SK370 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

2SK3700(F)詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:900V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.5 歐姆 @ 3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1150pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3P(N)
包裝:散裝

2SK3702詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:775pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220ML
包裝:散裝

2SK3703詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 30A TO-220ML
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:26 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1780pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220ML
包裝:散裝

2SK3704詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO-220ML
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:45A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 23A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3500pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220ML
包裝:散裝

2SK3707詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO-220ML
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:20A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220ML
包裝:散裝

2SK3708詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO-220ML
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:33 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:73nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4200pF @ 20V
功率_最大:2W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220ML
包裝:散裝

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