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2SK3820-DL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：26A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMP-FD; 包裝：帶卷 (TR)

2SK3821-DL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4200pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMP-FD; 包裝：帶卷 (TR)

2SK3821-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 40A SMP; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4200pF @ 20V; 功率_最大：1.65W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3（SMT）標(biāo)片; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SMP; 包裝：散裝

2SK3823詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27.5 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1780pF @ 20V; 功率_最大：1.75W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：散裝

2SK3824詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 20V; 功率_最大：1.75W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：散裝

2SK3826詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 26A TO-220; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：26A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 20V; 功率_最大：1.75W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：散裝

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