APT58M50J詳細規(guī)格
- 類別:FET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
- 系列:POWER MOS 8™
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:58A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:340nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:13500pF @ 25V
- 功率_最大:540W
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
- 供應商設備封裝:ISOTOP?
- 包裝:管件
APT58M50JU2詳細規(guī)格
- 類別:FET
- 描述:POWER MOD MOSFET 500V 58A SOT227
- 系列:POWER MOS 8™
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:58A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:340nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:10800pF @ 25V
- 功率_最大:543W
- 安裝類型:底座安裝
- 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
- 供應商設備封裝:SOT-227
- 包裝:散裝
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 19.6 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 4.02K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- IGBT - 單路 Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 600V 96A 416W TO247
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 66POS JAM NUT W/SKT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 10K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/PINS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 5.36M OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 30.9K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 4.22K OHM .25W 1% 0603 SMD
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 66POS JAM NUT W/SKT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 10K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 30.9 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/PINS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 4.22K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 1K OHM 1/10W .5% 0603 SMD