

APT75DQ100BG詳細規(guī)格
- 類別:單二極管/整流器
- 描述:DIODE ULT FAST 75A 1000V TO-247
- 系列:-
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- 二極管類型:標準
- 電壓_333Vr444(最大):1000V(1kV)
- 電流_平均整流333Io444:75A
- 電壓_在If時為正向333Vf444(最大):3V @ 75A
- 速度:快速恢復 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢復時間333trr444:250ns
- 電流_在Vr時反向漏電:100µA @ 1000V
- 電容0a0VrwwwwF:-
- 安裝類型:通孔,徑向
- 封裝/外殼:TO-247-2
- 供應商設(shè)備封裝:TO-247 [B]
- 包裝:管件
APT75DQ120BG詳細規(guī)格
- 類別:單二極管/整流器
- 描述:DIODE ULT FAST 75A 1200V TO-247
- 系列:-
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- 二極管類型:標準
- 電壓_333Vr444(最大):1200V(1.2kV)
- 電流_平均整流333Io444:75A
- 電壓_在If時為正向333Vf444(最大):3.1V @ 75A
- 速度:快速恢復 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢復時間333trr444:325ns
- 電流_在Vr時反向漏電:100µA @ 1200V
- 電容0a0VrwwwwF:-
- 安裝類型:通孔,徑向
- 封裝/外殼:TO-247-2
- 供應商設(shè)備封裝:TO-247 [B]
- 包裝:管件
APT75DQ60BG詳細規(guī)格
- 類別:單二極管/整流器
- 描述:DIODE ULT FAST 75A 600V TO-247
- 系列:-
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- 二極管類型:標準
- 電壓_333Vr444(最大):600V
- 電流_平均整流333Io444:75A
- 電壓_在If時為正向333Vf444(最大):2.5V @ 75A
- 速度:快速恢復 =< 500 ns,> 200mA(Io)
- 反向恢復時間333trr444:31ns
- 電流_在Vr時反向漏電:25µA @ 600V
- 電容0a0VrwwwwF:-
- 安裝類型:通孔,徑向
- 封裝/外殼:TO-247-2
- 供應商設(shè)備封裝:TO-247 [B]
- 包裝:管件
APT75F50B2詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
- 系列:POWER MOS 8™
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 37A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:11600pF @ 25V
- 功率_最大:1040W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-247-3 變式
- 供應商設(shè)備封裝:T-MAX? [B2]
- 包裝:管件
APT75F50L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
- 系列:POWER MOS 8™
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 37A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 2.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:290nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:11600pF @ 25V
- 功率_最大:1040W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA
- 供應商設(shè)備封裝:TO-264 [L]
- 包裝:管件
APT75GN120B2G詳細規(guī)格
- 類別:IGBT - 單路
- 描述:IGBT 1200V 200A 833W TMAX
- 系列:-
- 制造商:Microsemi Power Products Group
- IGBT類型:溝道和場截止
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V
- VgewwwwIc時的最大Vce(開):2.1V @ 15V,75A
- 電流_集電極333Ic444(最大):200A
- 功率_最大:833W
- 輸入類型:標準
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-247-3 變式
- 供應商設(shè)備封裝:T-MAX? [B2]
- 包裝:管件
- FET - 單 Microsemi Power Products Group TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-220-3 PROGRAMMING MODULE
- 陶瓷 EPCOS Inc 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 100V X7R 1206
- 振蕩器 Abracon Corporation 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 33.000 MHZ 3.0V SMD
- 其它 International Rectifier MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
- 端子 - 鏟形 TE Connectivity CONN SPADE SPRING SHORT 12-10AWG
- 配件 Atmel ADAPTER PERSON ICE50 ATMEGA162
- 配件 Honeywell Sensing and Control PROGRAMMING MODULE
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 150PF 25V 10% X5R 0201
- 陶瓷 EPCOS Inc 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 100V X7R 1206
- 振蕩器 Abracon Corporation 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 38.400 MHZ 3.0V SMD
- 多芯導線 Alpha Wire 6-SMD,無引線(DFN,LCC) 5296C BLACK 1000 = 1000 FT
- 配件 Atmel 6-SMD,無引線(DFN,LCC) ADAPTER PERSON ICE50 ATMEGA162
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 1500PF 25V 10% X5R 0201
- 配件 Honeywell Sensing and Control 0201(0603 公制) PROGRAMMING MODULE