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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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當(dāng)前位置:網(wǎng)站首頁 » 庫存索引78 » 型號(hào)"AT-42"的供應(yīng)信息

AT-42 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
按地區(qū):全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

AT-42詳細(xì)規(guī)格

類別:揚(yáng)聲器
描述:SPEAKER 32OHM .1W 81DB 30MM PCMT
系列:AT
制造商:PUI Audio, Inc.
類型:-
頻率范圍:-
阻抗:32 歐姆
聲壓級(jí):81dB
功率_額定值:0.1W
功率_最大值:-
高度:-
大小/尺寸:-
形狀:-
端接:-
材料_錐體:-
材料_磁鐵:-

AT-42010詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 100-SMD
系列:-
制造商:Avago Technologies US Inc.
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:8GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益:10dB ~ 13.5dB
功率_最大:600mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 35mA,8V
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD(100 密耳)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:100 mil
包裝:散裝

AT-42035G詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD
系列:-
制造商:Avago Technologies US Inc.
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:8GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益:10dB ~ 13.5dB
功率_最大:600mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 35mA,8V
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD(35 micro-X)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:35 micro-X
包裝:散裝

AT-42036-BLKG詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD
系列:-
制造商:Avago Technologies US Inc.
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:8GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益:10dB ~ 13.5dB
功率_最大:600mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 35mA,8V
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD(36 micro-X)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:36 micro-X
包裝:散裝

AT-42036-TR1G詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD
系列:-
制造商:Avago Technologies US Inc.
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:8GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益:10dB ~ 13.5dB
功率_最大:600mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 35mA,8V
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD(36 micro-X)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:36 micro-X
包裝:帶卷 (TR)

AT-42070詳細(xì)規(guī)格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD
系列:-
制造商:Avago Technologies US Inc.
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):12V
頻率_轉(zhuǎn)換:8GHz
噪聲系數(shù)(dB典型值0a0頻率):1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
增益:10.5dB ~ 14dB
功率_最大:600mW
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 35mA,8V
電流_集電極333Ic444(最大):80mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD(70 密耳)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:70 密耳封裝
包裝:散裝

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