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» 型號(hào)"B32672L223J"的供應(yīng)信息
B32672L223J 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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批號(hào):
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B32672L223J詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:薄膜
描述:FILM CAP 22NF 5% 1000VDC MKP
系列:B32672L
制造商:EPCOS Inc
電容:0.022µF
電壓_額定:
容差:±5%
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:徑向
工作溫度:-55°C ~ 125°C
特點(diǎn):交流和雙倍脈沖
包裝:散裝
尺寸/尺寸:0.709" L x 0.197" W(18.00mm x 5.00mm)
高度_座高(最大):0.413"(10.50mm)
B32672L223J詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:薄膜
描述:FILM CAP 22NF 5% 1000VDC MKP
系列:B32672L
制造商:EPCOS Inc
電容:0.022µF
額定電壓_AC:250V
額定電壓_DC:1000V(1kV)
電介質(zhì)材料:聚丙烯,金屬化
容差:±5%
ESR(等效串聯(lián)電阻):-
工作溫度:-55°C ~ 125°C
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:徑向
尺寸/尺寸:0.709" L x 0.197" W(18.00mm x 5.00mm)
高度_座高(最大):0.413"(10.50mm)
端子:PC 引腳
引線(xiàn)間隔:0.591"(15.00mm)
特點(diǎn):交流和雙倍脈沖
應(yīng)用:-
包裝:散裝
B32672L223J供應(yīng)商
查看更多B32672L223J的供應(yīng)商
BFR 193 E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
B32520C6682J
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 6800PF 400VDC RADIAL
B37979G5821J051
陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 820PF 50V 5% RADIAL
B32672L1882J
薄膜 EPCOS Inc 徑向 FILM CAP 8.8NF 5% 600VAC MKP
B32652A7273J
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 27NF 5% 1250V MKP
BMI-S-203-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.032X1.032" FRAME
B43508B5277M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V
BFR 193W E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
B37979N1100J054
陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 10PF 100V 5% RADIAL
B43508B5277M60
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 450V
BMI-S-204-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.26X1.26" FRAME
B32652A7333J000
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.033UF 1.25KVDC RADIAL
BFR 340T E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies SC-75,SOT-416 TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75
B37979N1120J054
陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 12PF 100V 5% RADIAL
B32520C6682K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0068UF 10% 400V
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