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B41827A3337M 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

B41827A3337M詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：330UF 10V 6.3X11 SINGLE END

系列：B41827

制造商：EPCOS Inc

電容：

額定電壓：

容差：

壽命0a0溫度：

工作溫度：

特點(diǎn)：

紋波電流：

ESR（等效串聯(lián)電阻）：

阻抗：

安裝類型：

封裝/外殼：

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

引線間隔：

表面貼裝占地面積：

包裝：

• B43504E127M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 120UF 420V

• B37981F1681K051

  陶瓷    EPCOS Inc    徑向    CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL

• B41827A3227M

  電容器    EPCOS Inc        220UF 10V 6.3X11 SINGLE END

• B82422A1562K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 5.6UH 140MA 1210 10%

• B37930K5471J070

  陶瓷    EPCOS Inc    0603（1608 公制）    CAP CER 470PF 50V 5% NP0 0603

• BSC070N10NS3 G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

• BFU660F,115

  RF 晶體管 (BJT)    NXP Semiconductors    SOT-343F    TRANSISTOR NPN SOT343F-4

• BD46241G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET CMOS 2.4V 100MS 5SSOP

• B43504E187M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 180UF 420V

• B82422A1822K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 8.2UH 130MA 1210 10%

• BSC072N025S G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8

• B37930K5560J060

  陶瓷    EPCOS Inc    0603（1608 公制）    CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0603

• BFU690F,115

  RF 晶體管 (BJT)    NXP Semiconductors    SOT-343F    TRANSISTOR NPN SOT343F-4

• B43504E187M60

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 180UF 420V

• B37981F5103K051

  陶瓷    EPCOS Inc    徑向    CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL