B82464Z4154M 全國供應商、價格、PDF資料
B82464Z4154M詳細規(guī)格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 150UH .85A SMD
- 系列:B82464Z4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:150µH
- 電流:
- 額定電流:850mA
- 電流_飽和值:900mA
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 320 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:-
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.394" L x 0.394" W x 0.189" H(10.00mm x 10.00mm x 4.80mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:Digi-Reel®
B82464Z4154M詳細規(guī)格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 150UH .85A SMD
- 系列:B82464Z4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:150µH
- 電流:
- 額定電流:850mA
- 電流_飽和值:900mA
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 320 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:-
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.394" L x 0.394" W x 0.189" H(10.00mm x 10.00mm x 4.80mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:剪切帶 (CT)
B82464Z4154M詳細規(guī)格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 150UH .85A SMD
- 系列:B82464Z4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:150µH
- 電流:
- 額定電流:850mA
- 電流_飽和值:900mA
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 320 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:-
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.394" L x 0.394" W x 0.189" H(10.00mm x 10.00mm x 4.80mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:帶卷 (TR)
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0805K17LCG
- 晶體管(BJT) - 陣列 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP 65V 100MA SOT363
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 33PF 50V 2% NP0 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SST3 TR
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.27UF 10V 10% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0805M4CCG3
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN AF 45V SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 33PF 25V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.27UF 6.3V 10% X7R 0603
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc CT1206K20G2
- 晶體管(BJT) - 陣列 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR NPN/PNP AF 45V SOT363
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.27UF 10V 20% X5R 0603