BC636 全國供應商、價格、PDF資料

BC636詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC636,116詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：830mW

頻率_轉換：145MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶卷 (TR)

BC636_J35Z詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC636BU詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC636TA詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

BC636TAR詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1W

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

• BY229-600-E3/45

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    TO-220-2    DIODE 8A 600V 145NS TO-220AC

• BAT54A

  二極管，整流器 - 陣列    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT-23

• BC635ZL1G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRANSISTOR NPN GP 45V 1A TO-92

• C1206C680J5GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 68PF 50V 5% NP0 1206

• 74AHC541BQ,115

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    NXP Semiconductors    20-VFQFN 裸露焊盤    IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20DHVQFN

• 74457018

  固定式    Wurth Electronics Inc    非標準    INDUCTOR POWER 1.8UH 13A SMD

• 74408943150

  固定式    Wurth Electronics Inc    非標準    INDUCTOR POWER 15UH 1.4A SMD

• B8J3K0E

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR POWER 3.0K OHM 8W 5%

• BAT54A,235

  二極管，整流器 - 陣列    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SCHTK DUAL 30V 200MA SOT23

• C1206C681F1GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 680PF 100V 1% NP0 1206

• 74AHC541D,112

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    NXP Semiconductors    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC

• 74408943680

  固定式    Wurth Electronics Inc    非標準    INDUCTOR POWER 68UH .60A SMD

• 74457056

  固定式    Wurth Electronics Inc    非標準    INDUCTOR POWER 5.6UH 7.8A SMD

• B8J5R0

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR POWER 5.0 OHM 8W 5%

• BY229B-600-E3/81

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE 8A 600V 145NS TO-263AB