BC846B 全國供應商、價格、PDF資料

BC846B詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：IC TRANS NPN SS GP 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：310mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：剪切帶 (CT)

BC846B詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：IC TRANS NPN SS GP 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：310mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BC846B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BC846B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BC846B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC846B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• BD2046AFJ-E2

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SWITCH HIGH SIDE 2CH SOP-J8

• C1812C103M5RACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 1812

• BC846AWT1G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    SC-70，SOT-323    TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-323

• C200H-CN225

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    SC-70，SOT-323    CABLE DATA SETTING CONSOLE 2M

• C15A2P-GFI

  斷路器    American Electrical Inc    SC-70，SOT-323    CIR BRKR MAG-HYDR 15A LEVER

• C0603C0G1E8R2C

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

• C0805C473G3GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.047UF 25V 2% NP0 0805

• C0805C100K1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10PF 100V 10% NP0 0805

• BD2056AFJ-E2

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SWITCH HIGH SIDE 2CH SOP-J8

• C15A3P

  斷路器    American Electrical Inc    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    CIR BRKR MAG-HYDR 15A LEVER

• C200H-CN225

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    CABLE DATA SETTING CONSOLE 2M

• C0603C0G1E8R2C

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

• C0805C473J3RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.047UF 25V 5% X7R 0805

• BC846BLP4-7B

  晶體管(BJT) - 單路    Diodes Inc    3-XFDFN    TRANS NPN 65V 100MA X2-DFN1006-3

• BD2056AFJ-E2

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān)    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SWITCH HIGH SIDE 2CH SOP-J8