BC847 全國供應商、價格、PDF資料

BC847,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BC847,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC847,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BC847,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC847,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BC847A,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

• BAS116,215

  單二極管/整流器    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23

• 744762239A

  固定式    Wurth Electronics Inc    1008（2520 公制）    INDUCTOR 390NH .47A WW 1008

• BC847,215

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23

• 745833-3

  D-Sub，D 形 - 后殼，防護罩    TE Connectivity    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    CONN BACKSHELL DB25 METAL PLATED

• C1206C479D5GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7PF 50V NP0 1206

• BZV85-C13,133

  單二極管/齊納    NXP Semiconductors    DO-204AL，DO-41，軸向    DIODE VREG 13V 1.3W DO-41

• BB 833 E6327

  可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管）    Infineon Technologies    SC-76，SOD-323    DIODE VARACTOR 30V SOD-323

• 74ALVT16543DGG,112

  邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發(fā)器    NXP Semiconductors    56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬）    IC 16BIT REGISTERED TXRX 56TSSOP

• 744762310A

  固定式    Wurth Electronics Inc    1008（2520 公制）    INDUCTOR 1000NH .12A WW 1008

• C1206C511F1GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 510PF 100V 1% NP0 1206

• BZV85-C43,133

  單二極管/齊納    NXP Semiconductors    DO-204AL，DO-41，軸向    DIODE VREG 43V 1.3W DO-41

• 745886-1

  D-Sub    TE Connectivity    DO-204AL，DO-41，軸向    CONN D-SUB RCPT STR 25POS PCB AU

• BB 914 E6327

  可變電容二極管（可變電容二極管，變容二極管）    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23

• 74ALVTH16240VRE4

  邏輯 - 柵極和逆變器    Texas Instruments    48-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC INVERTER QUAD 4-INPUT 48TVSOP

• BAS116LT1

  單二極管/整流器    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23