BC848C 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BC848C-7-F詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：15nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

包裝：剪切帶 (CT)

BC848C-7-F詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：15nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

BC848C-7-F詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：15nA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

包裝：Digi-Reel®

BC848CDW1T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：380mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：剪切帶 (CT)

BC848CDW1T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：380mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：帶卷 (TR)

BC848CDW1T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V

功率_最大：380mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：Digi-Reel®

• C200HE-CPU11-ZE

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    0201（0603 公制）    CPU C200H ALPHA 3.2K 640POS I/O

• C0805C479K5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7PF 50V 10% NP0 0805

• BC848BLT1G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23

• C0805C102JBRACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1000PF 630V 5% X7R 0805

• C1812C221JGRACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 220PF 2KV 5% X7R 1812

• BD442G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-225AA，TO-126-3    TRANS PNP 80V 4A BIPO TO-225AA

• BFC238370133

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.013UF 2.5KVDC RADIAL

• C0603C0G1H2R2B

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 2.2PF 50V NP0 0201

• C0805C479K5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7PF 50V 10% NP0 0805

• C0805C102JDRACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1000PF 1KV 5% X7R 0805

• C1812C221KDRACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 220PF 1KV 10% X7R 1812

• BFC238370272

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 2700PF 2.5KVDC RADIAL

• BD45232G-TR

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    IC RESET OD 2.3V 200MS 5SSOP

• C200HE-CPU32-ZE

  其它    Omron Electronics Inc-IA Div    6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線    CPU 7.2K 880POS I/O

• C0805C479K5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4.7PF 50V 10% NP0 0805