BCP55 全國供應商、價格、PDF資料

BCP55詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.5W

頻率_轉換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SOT-223-3

包裝：Digi-Reel®

BCP55詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.5W

頻率_轉換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SOT-223-3

包裝：帶卷 (TR)

BCP55詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1.5A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.5W

頻率_轉換：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SOT-223-3

包裝：剪切帶 (CT)

BCP55,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：180MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：剪切帶 (CT)

BCP55,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：180MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：帶卷 (TR)

BCP55,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：1.35W

頻率_轉換：180MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：Digi-Reel®

• 7488910520

  RF 天線    Wurth Electronics Inc    SC-70，SOT-323    ANTENNA MULTILAYER 5.1-5.3GHZ

• BAR 88-02V E6127

  RF 二極管    Infineon Technologies    SC-79，SOD-523    DIODE PIN SGL 80V 100MA SC-79

• BCP5416TA

  晶體管(BJT) - 單路    Diodes Inc    TO-261-4，TO-261AA    TRANS NPN 45V 1A 2W SOT223

• C0402C823K8RACTU

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0402

• C-002RX 32.7680K-E:PBFREE

  晶體    EPSON    圓柱形罐，徑向    CRYSTAL 32.7680KHZ 6.0PF CYL

• BZX79-C24,143

  單二極管/齊納    NXP Semiconductors    DO-204AH，DO-35，軸向    DIODE ZENER 24V 500MW DO-35

• BZX79-B6V2,113

  單二極管/齊納    NXP Semiconductors    DO-204AH，DO-35，軸向    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35

• BZX84C3V6LT1G

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT-23

• BAR 88-07LRH E6327

  RF 二極管    Infineon Technologies    4-XFDFN    DIODE PIN PAR 80V 100MA TSLP-4-7

• C-005R 32.7680K-AC

  晶體    EPSON    圓柱形罐，徑向    CRYSTAL 32.7680KHZ 9PF CYL

• C0402C823K8RACTU

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0402

• BZX79-C24,143

  單二極管/齊納    NXP Semiconductors    DO-204AH，DO-35，軸向    DIODE ZENER 24V 500MW DO-35

• BZX79-B6V2,133

  單二極管/齊納    NXP Semiconductors    DO-204AH，DO-35，軸向    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35

• BAR 90-098LRH E6327

  RF 二極管    Infineon Technologies    4-XFDFN    DIODE PIN ANTI 80V 100MA TSLP4-7

• BZX84C3V6W-7

  單二極管/齊納    Diodes Inc    SC-70，SOT-323    DIODE ZENER 3.6V 200MW SC70-3