BCW60 全國供應商、價格、PDF資料

BCW60A詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：20nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：125MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BCW60A_D87Z詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：20nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：125MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BCW60B詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：20nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

頻率_轉換：125MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

BCW60B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BCW60B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BCW60B,215詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：32V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

頻率_轉換：250MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

• B32561J3224J289

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 0.2200UF 5% 250V

• 70ADJ-6-ML0G

  長方形 - 彈簧加載    Bourns Inc.        MODULAR CONTACT SMD MALE

• B32021A3332M

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    CAP FILM 3300PF 1.5KVDC RADIAL

• BCW32,215

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

• 70B00103

  配件    Storm Interface    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    KEYPAD KEYTOP LEG SET B NONILLUM

• B32774D8505J

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 5.0UF 5% 800V MKP

• C0402C563M9RACTU

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 0.056UF 6.3V X7R 0402

• B32561J335K

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 3.3UF 10 % 63V

• C0603C150D5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 15PF 50V NP0 0603

• B32774D8505K

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 5.0UF 10% 800V MKP

• 70B00103

  配件    Storm Interface        KEYPAD KEYTOP LEG SET B NONILLUM

• C0402C569D5GACTU

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 5.6PF 50V NP0 0402

• B32561J3473J

  薄膜    EPCOS Inc        FILM CAP 47NF 5% 250V

• B32021A3472M

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    CAP FILM 4700PF 1.5KVDC RADIAL

• C0603C150G2GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 15PF 200V 2% NP0 0603