BD180詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 80V 3A BIPO TO-225
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:30W
- 頻率_轉換:3MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
- 供應商設備封裝:TO225AA
- 包裝:散裝
BD18010STU詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 80V 3A TO-126
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:30W
- 頻率_轉換:3MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
- 供應商設備封裝:TO-126
- 包裝:管件
BD180G詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 80V 1A TO225
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:30W
- 頻率_轉換:3MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
- 供應商設備封裝:TO225AA
- 包裝:散裝
- 固定式 EPCOS Inc 0603(1608 公制) INDUCTOR 33NH .35A 0603 5%
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 360PF 50V 5% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.027UF 250V 5% X7R 1210
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 TRANSISTOR PNP 45V 3A TO-126
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3900PF 50V 5% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 39PF 50V NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 0603 3.9 NH 0.2NH
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.1UF 10V 10% X5R 0402
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.027UF 630V X7R 1210
- 邏輯 - 變換器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC LVTTL/GTLP BUS TXRX 56TVSOP
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 0603 5.6 NH 0.2NH
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.1UF 10V 10% X7R 0402
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.027UF 200V X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3.3PF 50V NP0 0603
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC REG LDO 1.8V .5A 8HTSOP-J