BS7067N06LS3G 全國供應商、價格、PDF資料
BS7067N06LS3G詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 30V
- 功率_最大：78W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerVDFN
- 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
- 包裝：帶卷 (TR)
BS7067N06LS3G詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 30V
- 功率_最大：78W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerVDFN
- 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 6.3V 10% X5R 1210
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 120UF 400V
- 熱敏電阻 - NTC EPCOS Inc 塑模盤 NTC THERMISTOR S236 /2.2 /M
- 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 Sharp Microelectronics 側(cè)視圖 PHOTODIODE BLUE SENS
- 配件 Red Lion Controls 側(cè)視圖 CUB 2 BASE MOUNT KIT
- RF FET NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2PF 100V NP0 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.068UF 100V X8R 1206
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 400V
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 6.3V 20% X5R 1210
- 配件 Red Lion Controls 1210（3225 公制） 1/16 DIN LIBRA AND LEGEND BASE
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2PF 50V NP0 0805
- RF FET NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 400V
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.068UF 100V X8R 1206
0755-22929859 
