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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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BS7067N06LS3G 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠(chǎng)商：批號(hào)：封裝：
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BS7067N06LS3G詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 30V
功率_最大：78W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：帶卷 (TR)

BS7067N06LS3G詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫歐 @ 20A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 35µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 30V
功率_最大：78W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
包裝：剪切帶 (CT)

BS7067N06LS3G供應(yīng)商

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