BSH111 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BSH111,215詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 8V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BSH111,215詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSH111,215詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 8V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BSH111,215詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSH111,235詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23

系列：TrenchMOS™

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：335mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1nC @ 8V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：40pF @ 10V

功率_最大：830mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• 8-1879338-8

  芯片電阻 - 表面安裝    TE Connectivity    0603（1608 公制）    RES 215K OHM 1/16W 1% 0603

• 7PA100

  配件    Ohmite    0603（1608 公制）    MOUNTING HDWR THRU BOLT 100WATT

• BSH111,215

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

• 79237807

  配件    Crouzet USA    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    PANEL ADAPTOR FRAME

• C1206C829K2GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 8.2PF 200V 10% NP0 1206

• C901U390JYSDCAWL40

  陶瓷    Kemet    徑向，圓盤    CAP CER 39PF 250V 5% RADIAL

• C8051F005DK-T

  過時/停產(chǎn)零件編號    Silicon Laboratories Inc        DEV KIT FOR C8051F005/F006/F007

• 810KMCB

  按鈕    APEM Components, LLC        SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V

• 7PA100

  配件    Ohmite        MOUNTING HDWR THRU BOLT 100WATT

• 79238250

  配件    Crouzet USA    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    CONTROL POTENTIOMETER 470K PANEL

• C901U390JZSDAA7317

  陶瓷    Kemet    徑向，圓盤    CAP CER 39PF 300V 5% RADIAL

• C1206C829K5GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 8.2PF 50V 10% NP0 1206

• C8051F005DK-U

  過時/停產(chǎn)零件編號    Silicon Laboratories Inc        DEV KIT FOR F005/006/007

• 810KMZG

  按鈕    APEM Components, LLC        SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V

• 7PA160

  配件    Ohmite        MOUNTING HDWR THRU BOLT 175WATT