BSH205 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSH205,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：750mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 430mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：680mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 9.6V

功率_最大：417mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：剪切帶 (CT)

BSH205,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：750mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 430mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：680mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 9.6V

功率_最大：417mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：Digi-Reel®

BSH205,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：750mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 430mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：680mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 9.6V

功率_最大：417mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

BSH205,215詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 750MA SOT-23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：750mA

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 430mA，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：680mV @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 9.6V

功率_最大：417mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB

包裝：帶卷 (TR)

• C0603C334K9RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.33UF 6.3V 10% X7R 0603

• BSH203,215

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23

• 74LVX02SJ

  邏輯 - 柵極和逆變器    Fairchild Semiconductor    14-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）    IC GATE NOR QUAD 2IN LV 14SOP

• C0805C103K1RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10000PF 100V X7R 0805

• C0603C104M4RAC7411

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 0603

• BQ2054SNTR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC LITH-ION FAST CHARGE 16-SOIC

• 74LVC04ADB,112

  邏輯 - 柵極和逆變器    NXP Semiconductors    14-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    IC HEX INVERTER 14SSOP

• C0603C334M3VACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.33UF 25V 20% Y5V 0603

• 74LVX04MX

  邏輯 - 柵極和逆變器    Fairchild Semiconductor    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC INVERTER HEX LOW VOLT 14SOIC

• C0603C104M4RAC7411

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 0603

• BQ2057CDGK

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC LI-ION LDO CHRG MGMT 8-MSOP

• 74LVC04APW,118

  邏輯 - 柵極和逆變器    NXP Semiconductors    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC INVERTER HEX 5V TTL 14TSSOP

• C0603C334Z3VACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.33UF 25V Y5V 0603

• 74LVX08MTR

  邏輯 - 柵極和逆變器    STMicroelectronics    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC GATE AND QUAD 2INP 14-SOIC

• C0805C103K2RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10000PF 200V X7R 0805