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BSO201SP詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

BSO201SP詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO201SP詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO201SP詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5962pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO201SP H詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：88nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO201SP H詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 14.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：88nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9600pF @ 15V; 功率_最大：1.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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