BSO203SP詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2265pF @ 15V
- 功率_最大:2.35W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:P-DSO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSO203SP詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:9A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2265pF @ 15V
- 功率_最大:2.35W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:P-DSO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
BSO203SP H詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3750pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:P-DSO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
BSO203SP H詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3750pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:P-DSO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSO203SP H詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:7A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.9A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3750pF @ 15V
- 功率_最大:1.6W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:P-DSO-8
- 包裝:Digi-Reel®
- Card Edge, Edgeboard Connectors TE Connectivity 軸向 CONN EDGE 110DL PS ZIF .100 GOLD
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 10PF 630V NP0 1206
- FET - 陣列 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
- 配件 Parallax Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) CABLE USB A TO MINI B
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 1.5UF 25V 10% X7R 1206
- 晶體 TXC CORPORATION 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 11.0592 MHZ 18PF SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1500PF 100V 10% X7S 0402
- 可插入式 - 配件 TE Connectivity 0402(1005 公制) CONN GUIDE ASSY MEDIA CONVERTER
- 陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 2200PF 100V 5% AXIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 1.5UF 16V 10% X7R 1206
- 配件 Parallax Inc 1206(3216 公制) CABLE USB A TO MINI B
- 晶體 TXC CORPORATION 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 12.000 MHZ 18PF SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1500PF 100V 10% X7S 0402
- 配件 TE Connectivity 0402(1005 公制) CONN TERMINATOR IDC 68POS PLASTC
- 陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.033UF 100V 10% AXIAL