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BSO211P 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSO211P詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：23.9nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8
包裝：剪切帶 (CT)

BSO211P詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.7A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：23.9nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8
包裝：帶卷 (TR)

BSO211P H詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.6A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1095pF @ 15V
功率_最大：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8
包裝：帶卷 (TR)

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