

BSP149 E6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:660mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP149 E6906詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:660mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP149 L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:660mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP149 L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:660mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP149 L6327詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:660mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:Digi-Reel®
BSP149 L6906詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:660mA
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 歐姆 @ 660mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 400µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .156 EXTEND
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- 單芯導線 Alpha Wire TO-261-4,TO-261AA 461019 YELLOW 100 FT
- 電容器 EPCOS Inc 22UF 450V 16X20 SINGLE END
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K35G2K1
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 26POS SKT
- 配件 NKK Switches SW CAP .945" BEZEL RED
- 配件 Honeywell Sensing and Control BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
- 電容器 EPCOS Inc 15UF 400V 12.5X20 SINGLE END
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K250G2H3
- 配件 NKK Switches SW CAP .945" BEZEL AMBER
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 26POS SKT
- 配件 Honeywell Sensing and Control BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
- 固定式 Murata Power Solutions Inc 非標準 INDUCTOR 1000UH .27A SMD SHIELD