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BSP170P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP170P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP170P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP170PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP170PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP170PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BFC242076803
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.068UF 630VDC RADIAL
B3D-4112
觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 徑向 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 12V
BSP16T1
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANS SS PNP 300V 100MA SOT-223
BD4859N5050AHF
平衡-不平衡變壓器 Anaren 4-SMD，無(wú)引線 XFRMR BALUN RF 4800-5900MHZ 0404
BGA7124,118
RF 放大器 NXP Semiconductors 8-VFDFN 裸露焊盤 IC MMIC DRIVER AMP 1STAGE 8HVSON
BR24L01AFVM-WTR
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬） IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8MSOP
C3216C0G2A562J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 100V 5% NP0 1206
BFC280832659
微調(diào)器，可變 Vishay BC Components 1206（3216 公制） CAP TRIMMER 5.5-65PF 150V TH
B43505G2477M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
BGA7210,515
RF 放大器 NXP Semiconductors 32-VFQFN 裸露焊盤 RF AMP 3.8GHZ VGA 32HVQFN
BD48K25G-TL
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC DETECTOR VOLT 2.5V OD SSOP3
BR24L04FVT-WE2
存儲(chǔ)器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP
BFG 19S E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
B43505G2477M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
C3216C0G2A682J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 6800PF 100V 5% NP0 1206

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