BSP170PE6327 全國供應商、價格、PDF資料

BSP170PE6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP170PE6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP170PE6327T詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP170PE6327T詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

• B43505G2477M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V

• B3D-5112

  觸摸    Omron Electronics Inc-EMC Div        SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 12V

• BSP170PE6327T

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

• BGA7210,515

  RF 放大器    NXP Semiconductors    32-VFQFN 裸露焊盤    RF AMP 3.8GHZ VGA 32HVQFN

• BD48K25G-TL

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC DETECTOR VOLT 2.5V OD SSOP3

• BR24L04FVT-WE2

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP

• BFG 19S E6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223

• B43505G2477M82

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V

• C3216C0G2A682J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 6800PF 100V 5% NP0 1206

• BGA7350,515

  其它    NXP Semiconductors        IC AMP MMIC DUAL VGA 32HVQFN

• BD48K45G-TL

  PMIC - 監(jiān)控器    Rohm Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC DETECTOR VOLT 4.5V OD SSOP3

• BR24L16FJ-WE2

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP

• B82422T1393K

  固定式    EPCOS Inc        SMT-INDUCTOR 1210 39UH 10%

• BFG.1K.100.NAS

  圓形 - 配件    LEMO        CAP F.PLUG CDG COVER

• C3216C0G2E392J

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 3900PF 250V 5% NP0 1206