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BSP171P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP171P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP171P L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP171PE6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP171PE6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP171PE6327T詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

B41043A6227M
電容器 EPCOS Inc 220UF 50V 10X25 SINGLE END
BSP171P L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
B82422A3151K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .15UH 390MA 1210 10%
C1206C472K5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 1206
61500083698
其它 3M SURFACE BELT 4X36" A VFN
C1210C182K5GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 1800PF 50V 10% NP0 1210
605980-3
帶 TE Connectivity 1210（3225 公制） FUSION TAPE, 1.5"X .020"X 30FT
B82422A3221K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR .22UH 280MA 1210 10%
C1206C472K5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 1206
B41043A6397M
電容器 EPCOS Inc 390UF 50V 12.5X25 SINGLE END
61500083730
其它 3M SURFACE BELT 3X21" A VFN
C1210C182KGRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 1800PF 2KV 10% X7R 1210
60598-7
端子 - 專用 TE Connectivity 1210（3225 公制） CONN UNINSUL RECEPT 20-24AWG
6131732
多芯導線 General Cable/Carol Brand 1210（3225 公制） C5E+ GS5350 CMP RD 1M’SPC
C1206C472K5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 1206

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