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BSP171PE6327 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BSP171PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP171PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP171PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP171PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

C1005X5R1A225K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
C0805C474M3VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805
BU2032SM-JJ-GTR
電池座，夾，觸點 MPD (Memory Protection Devices) 0805（2012 公制） HOLDER COIN CELL 2032 SMD
B43457C9228M3
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 2200UF 400V
B72210S171K501
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR S10K175S5
BSP171P L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
C1005X5R1A225K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
B43858A4686M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 68UF 350V
B43457J1229M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 22000UF 160V
B72210S200K531
TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 圓盤 10mm VARISTOR S10K20G3S5
C0805C474M3VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805
C1005X5R1A225K
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
B43858A9475M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 4.7UF 400V
BU2092F-E2
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Rohm Semiconductor 18-SOIC (0.213", 5.40mm 寬) IC DRIVER 12BIT S-IN P-OUT SOP18
B43457K478M3
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 4700UF 400V