BSP171PE6327T 全國供應商、價格、PDF資料
BSP171PE6327T詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：PG-SOT223-4
- 包裝：帶卷 (TR)
BSP171PE6327T詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：PG-SOT223-4
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805
- 電池座，夾，觸點 MPD (Memory Protection Devices) 0805（2012 公制） HOLDER COIN CELL 2032 SMD
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 2200UF 400V
- TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc VARISTOR S10K175S5
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 68UF 350V
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 22000UF 160V
- TVS - 變阻器，MOV EPCOS Inc 圓盤 10mm VARISTOR S10K20G3S5
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 4.7UF 400V
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Rohm Semiconductor 18-SOIC (0.213", 5.40mm 寬) IC DRIVER 12BIT S-IN P-OUT SOP18
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 4700UF 400V
010-62962871、 
