BSP31 全國供應商、價格、PDF資料

BSP31,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：剪切帶 (CT)

BSP31,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：帶卷 (TR)

BSP31,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V

功率_最大：1.3W

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：SC-73

包裝：Digi-Reel®

BSP315P L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP315P L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP315P L6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應商設備封裝：PG-SOT223-4

包裝：Digi-Reel®

• C440C153J5G5CA7200

  陶瓷    Kemet    軸向    CAP CER 0.015UF 50V 5% AXIAL

• 78F05RAT

  DIP    Grayhill Inc    軸向    SWITCH DIP RAISED SLIDE 5POS TH

• BSP300 E6327

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

• 80644024

  電機 - AC，DC    Crouzet USA    TO-261-4，TO-261AA    ASYNC MOTOR 220V RAT

• C1206C200J5GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 20PF 50V 5% NP0 1206

• C1005Y5V1E104Z

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0402

• 7B-20.000MAAE-T

  晶體    TXC CORPORATION    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 20.000 MHZ 12PF SMD

• C440C154K1R5CA7200

  陶瓷    Kemet    軸向    CAP CER 0.15UF 100V 10% AXIAL

• 78F05SRAT

  DIP    Grayhill Inc    軸向    SWITCH DIP RAISED SLIDE 5POS TH

• C1206C200K5GACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 20PF 50V 10% NP0 1206

• 806443N001

  熱收縮套，帽蓋    TE Connectivity    1206（3216 公制）    BOOT MOLDED STR SIZE 85 W/LIP

• C1005Y5V1E224Z

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 0.22UF 25V Y5V 0402

• 7B-20.000MAAJ-T

  晶體    TXC CORPORATION    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 20.000 MHZ 18PF SMD

• C440C224M1U5CA7200

  陶瓷    Kemet    軸向    CAP CER 0.22UF 100V 20% AXIAL

• 78F120J

  固定式    Bourns Inc.    軸向    CHOKE CONFORMAL COATED 12UH