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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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BSP32 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSP32,115詳細(xì)規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-73
包裝:剪切帶 (CT)

BSP32,115詳細(xì)規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-73
包裝:帶卷 (TR)

BSP32,115詳細(xì)規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
功率_最大:1.3W
頻率_轉(zhuǎn)換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:SC-73
包裝:Digi-Reel®

BSP320S E6327詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 2.9A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

BSP320S E6433詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 2.9A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

BSP320S L6327詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 2.9A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

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