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BSP320S E6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP320S E6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP320S L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP320S L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP320S L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP320S L6433詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 20µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

AMM36DRTN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 10-SIP CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD
AT207B
配件 NKK Switches 10-SIP BEZEL WHITE FOR EB/MB24 SERIES
BSP317P L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223
4613-48-0
測試引線 - 跳線，專用型 Pomona Electronics TO-261-4，TO-261AA MICROGRABBER/PATCH CORD 48" BLK
B76010D1579M055
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
AFD58-16-8PY-6233
圓形 - 外殼 TE Connectivity 2917（7343 公制） CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
4610X-101-182
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Bourns Inc. 10-SIP RES ARRAY 1.8K OHM 9 RES 10-SIP
AML51-G10WG
配件 Honeywell Sensing and Control 10-SIP BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AMM36DRUN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 10-SIP CONN EDGECARD 72POS .156 DIP SLD
B76304E6879M018
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 680UF 4V 20% 2917
4613-48-2
測試引線 - 跳線，專用型 Pomona Electronics 2917（7343 公制） MICROGRABBER/PATCH CORD 48" RED
AFD58-16-8PZ-6117
連接器，互連器件 TE Connectivity 2917（7343 公制） CONN RCPT 8POS FLANGE W/PINS
4610X-101-204LF
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Bourns Inc. 10-SIP RES ARRAY 200K OHM 9 RES 10-SIP
BSP33,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
AML51-G10WG
配件 Honeywell Sensing and Control TO-261-4，TO-261AA BUTTON FOR SWES AND INDICATORS

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