BSP61 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BSP61,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.25W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73

包裝：帶卷 (TR)

BSP61,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.25W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73

包裝：剪切帶 (CT)

BSP61,115詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP 80V 500MA SOT223

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓

電流_集電極333Ic444（最大）：1A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA

電流_集電極截止（最大）：50nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V

功率_最大：1.25W

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73

包裝：Digi-Reel®

BSP613P詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

• 6062

  香蕉式和端頭 - 插座，插頭    Keystone Electronics    1210（3225 公制）    JACK TEST HORIZ LOW PRO BLK GOLD

• B82422H1102K

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%

• BSP373 L6327

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

• B41044A5336M

  電容器    EPCOS Inc        33UF 25V 5X11 SINGLE END

• C1206C473J3RACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 0.047UF 25V 5% X7R 1206

• 61500084035

  其它    3M    1206（3216 公制）    TS HIGH STRENGTH DISC 3" A MED

• 6135.0032.0210

  電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊    Schurter Inc    1206（3216 公制）    6.CBTBF100C0-C6135

• 60620-5

  矩形 - 觸點    TE Connectivity    1206（3216 公制）    CONN PIN 14-20AWG GOLD CRIMP

• C1210C186K9PACTU

  陶瓷    Kemet    1210（3225 公制）    CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1210

• C1206C473J5RACTU

  陶瓷    Kemet    1206（3216 公制）    CAP CER 0.047UF 50V 5% X7R 1206

• B41044A5338M

  電容器    EPCOS Inc        3300UF 25V 16X31.5 SINGLE END

• 61500084043

  其它    3M        SURFACE LS BELT 1/2X18" A MED

• 606-2415-110F

  面板指示器，指示燈    Dialight        LED PNL IND 6MM R,G 2V RECESS

• 6135.0139.0410

  電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊    Schurter Inc        6.CBTBF150C0-C6135

• C1210C220J5GACTU

  陶瓷    Kemet    1210（3225 公制）    CAP CER 22PF 50V 5% NP0 1210