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BSP613P 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

BSP613P詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 2.9A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：875pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：Digi-Reel®

• C0603C684K8PACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.68UF 10V 10% X5R 0603

• 74LVC1G06W5-7

  邏輯 - 柵極和逆變器    Diodes Inc    SC-74A，SOT-753    IC INVERTER GATE 1INPUT SOT25

• BSP61,115

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-261-4，TO-261AA    TRANS PNP 80V 500MA SOT223

• C0805C105M3PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X5R 0805

• C200HW-BI081-V1

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    BACKPLANE I/O EXPANSION 8 SLOT

• C2012X5R1E105M/1.25

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X5R 0805

• BQ24060DRCTG4

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    10-VFDFN 裸露焊盤    IC LI-ION/LI-POL CHG MGMT 10-SON

• C0603C684K8PACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.68UF 10V 10% X5R 0603

• 74LVC1G07GF,132

  邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    NXP Semiconductors    6-XFDFN    IC BUFFER OPEN DRAIN N-INV 6XSON

• C0603C129B5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 1.2PF 50V NP0 0603

• C2012X5R1E106K

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 10UF 25V 10% X5R 0805

• C200HW-CE001

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    0805（2012 公制）    SINGLE CPU BUS

• BQ24061EVM-002

  評(píng)估演示板和套件    Texas Instruments    0805（2012 公制）    EVAL MODULE FOR BQ24061-002

• C0603C684M8PACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.68UF 10V 20% X5R 0603

• BSP62,115

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-261-4，TO-261AA    TRANS PNP 80V 500MA SOT223