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BSS138N E6433詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138N E6908詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138N E7854詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138N E8004詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS138N L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS138N L6327詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：230mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

6141237
配件 Cherry ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX
60805-2
配件 TE Connectivity CONN TERM LAMP SOCKET 16-20AWG
BSS138LT3G
FET - 單 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
B82432T1393K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 39UH 380MA 1812 10%
B41252A6278M
電容器 EPCOS Inc 2700UF 50V 22X30 SNAP IN
ATMEGA88V-10PJ
嵌入式 - 微控制器， Atmel 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC MCU AVR 8K 5V 10MHZ 28-DIP
C1210C272J2GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 200V 5% NP0 1210
AVT200-2-10%
可調功率電阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圓柱形，管件 RESISTOR POWER ADJ 2.0 OHM 225W
6141237
配件 Cherry 圓柱形，管件 ACTUATOR SIM ROLLER SB SUFFIX
B82432T1473K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 47UH 350MA 1812 10%
ATMEGA8A-MU
嵌入式 - 微控制器， Atmel 32-VFQFN 裸露焊盤 MCU AVR 8K FLASH 16MHZ 32-QFN
B41252A688M
電容器 EPCOS Inc 6800UF 80V 35X50 SNAP IN
AVT200-250-10%
可調功率電阻 Vishay Huntington Electric Inc. 圓柱形，管件 RESISTOR POWER ADJ 250 OHM 225W
C1210C272MCGACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 500V 20% NP0 1210
6141238
配件 Cherry 1210（3225 公制） ACTUATOR SIM ROLLER SC SUFFIX

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