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BSS192P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：190mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 190mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT89-4; 包裝：Digi-Reel®

BSS192P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：190mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 190mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT89-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS192P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：190mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 190mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT89-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSS192PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：190mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 190mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT89-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSS192PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：190mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 190mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT89-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS192PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：190mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 歐姆 @ 190mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-243AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT89-4; 包裝：剪切帶 (CT)

AU-12.288MBE-T
振蕩器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 12.288MHZ 3.3V
BSS192P L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-243AA MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
C1433ALMAM
配件 Arcolectric TO-243AA TEMP MONITOR PNL MNT +6F TO -7F
BU-29-5
配件 Mueller Electric Co TO-243AA INSULATOR FOR BU-27 SERIES GREEN
AT30TSE002B-MAH-T
PMIC - 熱管理 Atmel SENSOR DGTL TEMP I2C/SMBUS 8WDFN
BA17810T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線(xiàn)性 Rohm Semiconductor TO-220-3 整包 IC REG LDO 10V 1A TO220FP
BQ24166YFFT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
B41858C7477M
電容器 EPCOS Inc 470UF 35V SINGLE END
AU-13.500MBE-T
振蕩器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 13.500MHZ 3.3V
BU-29-6
配件 Mueller Electric Co TO-243AA INSUL GEOPHONE PVC BLUE 3.5"
AT30TSE752-MA8-T
PMIC - 熱管理 Atmel SENSOR DGTL TEMP I2C/SMBUS 8UDFN
B41858C8128M9
電容器 EPCOS Inc 1200UF 63V SINGLE END
BQ24166YFFT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
AU-13.500MBE-T
振蕩器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 13.500MHZ 3.3V
BA17812FP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線(xiàn)性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 IC REG LDO 12V 1A TO252-3

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