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BSS214N 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

BSS214N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS214N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS214N H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS214N L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS214NW L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 3.7µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：143pF @ 10V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT323-3; 包裝：帶卷 (TR)

BF014E0472K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 4700PF 100VDC RADIAL
BGA 728L7 E6327
RF 放大器 Infineon Technologies 6-XFDFN 裸露焊盤(pán) IC AMP MMIC 3.6V 20MA TSLP-7
C901U150JZSDAAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
8-1879634-0
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 51.1K OHM 1/2W 0.5% AXIAL
BSS214N L6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
BU-00243-2
香蕉式和端頭 - 插座，插頭 Mueller Electric Co TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 PLUG BANANA SOLDERLESS RED 15A
BF014E0562J
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 5600PF 100VDC RADIAL
BGA 728L7 E6327
RF 放大器 Infineon Technologies 6-XFDFN 裸露焊盤(pán) IC AMP MMIC 3.6V 20MA TSLP-7
C901U150JZSDBAWL40
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
BU-00287
測(cè)試引線 - 跳線，專用型 Mueller Electric Co SC-70，SOT-323 LEAD SET 10 ALLIGATOR 22AWG 18"
BF014E0562K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 5600PF 100VDC RADIAL
C901U150JZSDCAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤(pán) CAP CER 15PF 300V 5% RADIAL
BGA 748L16 E6327
RF 放大器 Infineon Technologies TSLP-16-1 IC AMP MMIC QUAD-BAND LN TSLP16
8-1879636-3
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 511 OHM 1/4W 0.5% AXIAL
BU-08OZ
用于 IC 的插座，晶體管 On Shore Technology Inc 軸向 8 PIN DIP SOCKET THRU HOLE