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BSS215P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS215P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS215P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS215P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS215P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS215P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：346pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

C1005C0G1H100D
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10PF 50V NP0 0402
BTB04-600TRG
三端雙向可控硅開關(guān) STMicroelectronics TO-220-3 TRIAC 4A 600V TO220AB
BGY67,112
線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMPLIFIER REVERSE SOT115J
BSS215P H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
C2012C0G1H222J/0.85
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2200PF 50V 5% NP0 0805
BP2101-9R
DC DC Converters Power-One 模塊 EURO-CASSETTE 110W 3.3V/5.1V
C3216X5R1E106K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 25V 10% X5R 1206
C0805C681G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 100V 2% NP0 0805
C1005C0G1H100D/50
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10PF 50V NP0 0402
BGY787,112
線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMP PUSH PULL SOT115J
BP2320-9R
DC DC Converters Power-One 模塊 EURO-CASSETTE 120W 2X 12V
C2012C0G1H223J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 50V 5% NP0 0805
C0805C681J1RALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 680PF 100V 5% X7R 0805
C3216X5R1E106K
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 25V 10% X5R 1206
C1005C0G1H101F
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 100PF 50V 1% NP0 0402

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